容量：1TB

闪存类型：232层3D TLC NAND闪存

主控芯片：群联E26

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2100MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：4400MB/s

容量：2TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：14700MB/s

容量：1920GB

连续读取最大速度：≤450MB/s

连续写入最大速度：≤480MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3150MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：480G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：1800MB/Sec

连续写入最大速度：1800MB/Sec

容量：2TB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：2700MB/s

容量：480G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：3D NAND TLC

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3300MB/s

容量：4TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：550MB/s

容量：512G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：HP H6028

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：7200MB/s