容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：≤3400MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3450MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5300MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5500MB/s

容量：2TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：1TB

闪存类型：MICRON B27B 3D-TLC

主控芯片：Phison PS5018-E18

容量：2TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：3400MB/Sec

连续写入最大速度：3200MB/Sec

容量：500GB

闪存类型：MLC

连续读取最大速度：450MB/Sec

容量：1920GB

连续读取最大速度：≤450MB/s

连续写入最大速度：≤480MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7480MB/s

容量：240G

闪存类型：MLC

连续读取最大速度：540MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D TLC

连续读取最大速度：3400MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s