容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：4400MB/s

容量：1TB

闪存类型：232层3D TLC NAND闪存

主控芯片：群联E26

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：2263XT

容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：480G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：400GB

闪存类型：MLC

连续读取最大速度：512MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5500MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：11500MB/s

容量：4TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：7100MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D TLC

主控芯片：PS5016-E16

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7200MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6700MB/s