容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D TLC

连续读取最大速度：7500MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5300MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：不超过3400MB/Sec

连续写入最大速度：不超过2900MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7500MB/s

容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：1TB

闪存类型：3D TLC

主控芯片：PS5016-E16

容量：2TB

连续读取最大速度：2600MB/s

连续写入最大速度：1800MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：1TB

闪存类型：SLC

连续读取最大速度：7400MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：2400MB/s

连续写入最大速度：1750MB/s

容量：4TB

闪存类型：长江存储QLC原厂颗粒

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7450MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5150MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

主控芯片：MAP1602

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3430MB/s

容量：256G

主控芯片：联芸MAP1202

连续读取最大速度：3500MB/s