容量：512G

闪存类型：TLC

主控芯片：PS5019-E19T

容量：500GB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3300MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3400MB/s

容量：480G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：3D NAND TLC

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：1700MB/Sec

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：400MB/Sec

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：550MB/s

容量：500GB

连续读取最大速度：1800MB/s（ASSSD）；2000MB/s（CDM）

连续写入最大速度：1500MB/s（ASSSD）；1600MB/s（CDM）

容量：500GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：4800MB/s

容量：500GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：1600MB/s

容量：500GB

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：1900MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：560MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：500MB/Sec

容量：500G

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：2300MB/s

容量：500GB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：慧容Silicon Motion SM2258

容量：500GB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6600MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：2500MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：3300MB/s

连续写入最大速度：2600MB/s

容量：500GB

闪存类型：TLC

主控芯片：2262EN

容量：512G

连续读取最大速度：3200MB/s

连续写入最大速度：2600MB/s