容量：120G

闪存类型：TLC

主控芯片：Marvell

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：512G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：3900MB/s

连续写入最大速度：3200MB/s

容量：512G

闪存类型：QLC

连续读取最大速度：4500MB/s

容量：960GB

颗粒：TLC

连续读取最大速度：520MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：7200MB/s

连续写入最大速度：2600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：≤3500MB/Sec

连续写入最大速度：≤3000MB/Sec

容量：960G

闪存类型：3D NAND TLC

颗粒：64层3D TLC颗粒

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：≤3500MB/Sec

容量：512G

连续读取最大速度：3800MB/s

连续写入最大速度：2800MB/s

容量：240G

闪存类型：MLC

主控芯片：Controller developed by Toshiba

容量：480G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3400MB/Sec

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：1700MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3200MB/s

容量：250G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：2263XT

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3200MB/s