容量：4TB

闪存类型：3D TLC

主控芯片：PS5018-E18

容量：2TB

连续读取最大速度：3400MB/Sec

连续写入最大速度：3200MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5500MB/s

容量：4TB

闪存类型：三星V-NAND TLC

连续读取最大速度：14800MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：4400MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6400MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6700MB/s

容量：4TB

连续读取最大速度：530MB/s

连续写入最大速度：480MB/s

容量：2TB

闪存类型：MICRON B27B 3D-TLC

主控芯片：Phison PS5018- E18

容量：2TB

连续读取最大速度：3150MB/s

连续写入最大速度：2600MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s

容量：4TB

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：慧容Silicon Motion SM2258

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14100MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：13600MB/s

容量：4TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：14100MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：11700MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：12400MB/s