容量：512G

连续读取最大速度：3500MB/s

连续写入最大速度：2500MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：520MB/s

连续写入最大速度：510MB/s

容量：512G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3500MB/s

容量：500G

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：2800MB/s

容量：256G，512G，1T，2T

闪存类型：三星 V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星 Phoenix 控制器

容量：256G

闪存类型：MLC

连续读取最大速度：550MB/Sec

容量：250G

闪存类型：MLC

主控芯片：三星 Phoenix

容量：1TB

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：5500MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：≤550MB/s

连续写入最大速度：≤470MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：7450MB/s

连续写入最大速度：5500MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：5000MB/s

连续写入最大速度：4500MB/s

容量：512G

连续读取最大速度：7000MB/s

连续写入最大速度：4000MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：3400MB/s

连续写入最大速度：3100MB/s

容量：1TB

连续读取最大速度：2000MB/s

连续写入最大速度：1500MB/s

容量：500GB

连续读取最大速度：500MB/s

连续写入最大速度：450MB/s

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：960GB

颗粒：TLC

连续读取最大速度：520MB/s

容量：256G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：SMI

容量：240G

闪存类型：MLC

主控芯片：Controller developed by Toshiba

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3200MB/s