容量：1TB

闪存类型：三星V-NAND 3-bit MLC

主控芯片：三星Phoenix控制器

容量：250G

连续读取最大速度：1700MB/Sec

连续写入最大速度：1200MB/Sec

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3400MB/s

容量：512G

闪存类型：3D NAND

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

连续读取最大速度：7400MB/s

连续写入最大速度：6400MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：5000MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7000MB/s

容量：128G

连续读取最大速度：525MB/s

连续写入最大速度：470MB/s

容量：1TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：561MB/Sec

容量：1TB

闪存类型：NAND FL ASH

连续读取最大速度：550MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：7500MB/s

容量：2TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：2100MB/s

容量：960GB

连续读取最大速度：500MB/Sec

连续写入最大速度：450MB/Sec

容量：500GB

闪存类型：TLC NAND

连续读取最大速度：7300MB/s

容量：1.92TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6800MB/s

容量：7.68TB

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：6700MB/s

容量：3.84TB

闪存类型：TLC

主控芯片：三星MARU控制器

容量：1TB

闪存类型：3D NAND TLC

连续读取最大速度：3600MB/s

容量：960G

闪存类型：3D NAND TLC

主控芯片：Marvel 88SS1074

容量：256G

闪存类型：TLC

连续读取最大速度：3100MB/Sec